Lägg till favorit set Hemsida
Placera:Hem >> Produkter >> RF Transistor

Kategori

produkter Tags

Fmuser webbplatser

FMUSER ursprungliga nya MRF6V2150NB SMD RF-transistorrör högfrekventa rörförstärkningsmodul Power MOSFET-transistor

FMUSER Original Nya MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor FMUSER original nya MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor designad främst för bredband stor signalutgång och drivrutinstillämpningar med frekvenser upp till 450 MHz. Enheterna är oöverträffade och lämpar sig för användning i industriella, medicinska och vetenskapliga tillämpningar Produktdetaljer: Artikelnummer: MRF6V2150NB Beskrivning: Lateral N-kanal Enkeländad bredbands RF-effekt MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Funktioner: Typisk CW-prestanda vid 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Pow

Detalj

Pris (USD) Antal (PCS) Shipping (USD) Totalt (USD) Frakt metod Betalning
89 1 0 89 Flygpost sända

 



FMUSER Original Ny MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Power Amplification Module Power MOSFET Transistor






FMUSER original nya MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor dutformad främst för bredbandssignaler för utdata och drivrutinermed frekvenser upp till 450 MHz. Enheterna är oöverträffade och är lämpliga föranvändning i industriella, medicinska och vetenskapliga tillämpningar



Produktinformation:


Pkonstnummer: MRF6V2150NB

Beskrivning: Lateral N-kanal enkeländad bredbands RF-effekt MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Funktioner:


Typisk CW-prestanda vid 220 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt
Effektförstärkning: 25.5 dB
Avloppseffektivitet: 69%
Kan hantera 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watt Uteffekt
Integrerad ESD-skydd
Utmärkt termisk stabilitet
Underlättar manuell förstärkning, ALC och moduleringstekniker
225 ° C kapabel plastförpackning
RoHS



Allmänna parametrar:


Transistortyp: LDMOS
Teknik: Si
Applikationsbransch: ISM, Broadcast
Tillämpning: Vetenskaplig, medicinsk
CW / puls: CW
Frekvens: 10 till 450 MHz
Effekt: 51.76 dBm
Effekt (W): 149.97 W
CW-effekt: 150 W.
Effektförstärkning (Gp): 23.5 till 26.5 dB
Ingångsförlustförlust: -17 till -3 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritet: N-kanal
Matningsspänning: 50 V.
Tröskelspänning: 1 till 3 Vdc
Nedsprutning - Avloppskälla: 110 V
Spänning - Gate-Source (Vgs): - 0.5 till 12 Vdc
Avloppseffektivitet: 0.683
Avloppsström: 450 mA
Impedans Zs: 50 ohm
Värmebeständighet: 0.24 ° C / W
Förpackningstyp: Fläns
Paket: FALL 1484--04, STIL 1 TILL - 272 WB - 4 PLAST
RoHS: Ja
Arbetstemperatur: 150 grader C

Lagringstemperatur: -65 till 150 grader 



Förpackningen innehåller:
1x
MRF6V2150NB RF-strömtransistor



 

 

Pris (USD) Antal (PCS) Shipping (USD) Totalt (USD) Frakt metod Betalning
89 1 0 89 Flygpost sända

 

Lämna ett meddelande 

Namn *
E-postadress *
Telefon
Adress
Koda Se verifieringskoden? Klicka uppdatera!
Meddelande
 

meddelande~~POS=TRUNC

Kommentarer Loading ...
Hem| Om Oss| Produkter| Nyheter| Download| Support| Återkoppling| Kontakta oss| Service

Kontakt: Zoey Zhang Webb: www.fmuser.net

WhatsApp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-post: [e-postskyddad] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adress på engelska: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adress på kinesiska: 广州市天河区黄埔大道西273台惠广州市天河区黄埔大道西305台惠口台3(XNUMX)