FMUSER Original ny MRF6VP11KH RF-effekttransistorström MOSFET-transistor-RF-transistor-FMUSER FM / TV-sändning One-Stop-leverantör

FMUSER Original MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 är främst utformad för pulserande bredbandstillämpningar med frekvenser upp till 150 MHz. Enheten är oöverträffad och är lämplig för användning i industriella, medicinska och vetenskapliga tillämpningar. Funktioner Typisk pulsad prestanda vid 130 MHz: VDD = 50 volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Genomsnitt), Pulsbredd = 100 µsek, Driftscykel = 20% Effektförstärkning: 26 dB Avloppseffektivitet: 71 % Kan hantera 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watt Toppeffekt karaktäriserad med serie motsvarande parametrar med stor signalimpedans CW-funktionskapacitet med adekvat kylning Kvalificerad Upp till maximalt 50 VDD-drift Integrerad ESD-skydd

Detalj

Tidigare:FMUSER Original New D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-pin DR D1029UK

Nästa:FMUSER ursprungliga nya MRF6V2150NB SMD RF-transistorrör högfrekventa rörförstärkningsmodul Power MOSFET-transistor

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Original ny MRF6VP11KH RF-effekttransistor Power MOSFET-transistor

FMUSER MRF6VP11KHR6 är främst utformad för pulserande bredbandstillämpningar med frekvenser upp till 150 MHz. Enheten är oöverträffad och är lämplig för användning i industriella, medicinska och vetenskapliga tillämpningar.

Funktioner

Typisk pulsad prestanda vid 130 MHz: VDD = 50 volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Genomsnitt), Pulsbredd = 100 µs, Driftscykel = 20%
Effektförstärkning: 26 dB
Drain Effektivitet: 71%
Kan hantera 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Karaktäriserad med serie ekvivalenta parametrar med stor signalimpedans
CW-driftskapacitet med adekvat kylning
Kvalificerad upp till maximalt 50 VDD-drift
Integrerad ESD-skydd
Designad för push-pull-funktion
Större negativ port-källspänningsområde för förbättrad klass C-funktion
RoHS
I Tape and Reel. R6-suffix = 150 enheter per 56 mm, 13 tum rull

Specifikation

Transistor Typ: LDMOS
Teknik: Si
Applikationsbransch: ISM, Broadcast
Tillämpning: Vetenskaplig, medicinsk
CW / puls: CW
Frekvens: 1.8 till 150 MHz
Effekt: 53.01 dBm
Effekt (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Högsta uteffekt: 1000 W
Pulsad bredd: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Effektförstärkning (Gp): 24 till 26 dB
Ingångsavkastning: Förlust: -16 till -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritet: N-kanal
Matningsspänning: 50 V.
Tröskelspänning: 1 till 3 Vdc
Nedbrytningsspänning - Avloppskälla: 110 V
Spänning - Gate-Source: (Vgs): - 6 till 10 Vdc
Avloppseffektivitet: 0.71
Avloppsström: 150 mA
Impedans Zs: 50 ohm
Värmebeständighet: 0.03 ° C / W
Förpackning: Typ: Fläns
Paket: CASE375D - 05 STIL 1 NI - 1230--4
RoHS: Ja
Arbetstemperatur: 150 grader C
Förvaringstemperatur: -65 till 150 grader C.