FMUSER 1st Original Ny MRF6VP3450H Lateral N-kanal Bredband RF Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverantör

FMUSER 1st Original ny MRF6VP3450H Lateral N-kanal bredbands RF-effekt MOSFET Transistor Beskrivning: Designad för kommersiella och industriella bredbandsapplikationer med frekvenser från 470 till 860 MHz. Den höga förstärkningen och bredbandsprestandan hos dessa enheter gör dem idealiska för förstärkartillämpningar med stor signal, gemensam källa i 50 volts analog eller digital TV-sändarutrustning. --Typisk DVB - T OFDM-prestanda: --VDD = 50 Volt, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watt Genomsnitt, f = 860 MHz, 8K-läge, 64 QAM - Effektförstärkning ： 22.5 dB - Avloppseffektivitet ： 28% --ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Bandbredd - Typiskt bredband tvåtoners prestanda: --VDD = 50 volt, IDQ = 1400 mA, --Po

Detalj

Tidigare:FUMSER Original MRF154 radiofrekvensmetalloxid halvledarfälteffekttransistor

Nästa:FMUSER 1st Original Ny MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1st Original Ny MRF6VP3450H Lateral N-kanal Bredband RF Power MOSFET Transistor

Beskrivning:
Konstruerad för bredband kommersiella och industriella applikationer med frekvenser från 470 till 860 MHz. Den höga vinsten och bredbandsprestanda för dessa enheter gör dem idealiska för förstärkartillämpningar med stora signaler och vanliga källor i 50 volt analog eller digital TV-sändarutrustning.

--Typisk DVB - T OFDM-prestanda:
--VDD = 50 volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watts Genomsnitt, f = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM
--Effektförstärkning ： 22.5 dB
--Avloppseffektivitet ： 28%
--ACPR @ 4 MHz Offset ——62 dBc @ 4 kHz Bandbredd

--Typiskt bredband med två toner:
--VDD = 50 volt, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 watt PEP, f = 470-860 MHz
--Effektförstärkning ： 22 dB
--Avloppseffektivitet ： 44%
--IM3 ： -29 dBc

--Kan hantera 10: 1 VSWR, alla fasvinklar, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watt CW
--90 Watt Genomsnitt (DVB - T OFDM-signal, 10 dB PAR, 7.61 MHz kanalbandbredd)

Funktioner:
--Karaktäriseras med serieekvivalenta stora parametrar för signalimpedans
--Internt ingångsmatchat för enkel användning
--Kvalificerad upp till maximalt 50 VDD-drift
--Integrerad ESD-skydd
--Designad för Push-Pull-manövrering

--Större negativ grind - Källspänningsområde för förbättrad klass C-funktion

--RoHS
--I Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Enheter per 56 mm, 13 tum Reel.
--R5 Suffix = 50 Enheter per 56 mm, 13 tum Rulle.

Förpackningen innehåller:

1 * MRF6VP3450H transistor