FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-kanal MOS fälteffekt Bredbandsfrekvensfälteffekt Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop leverantör

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-kanal MOS fälteffekt Bredband RF-effekt Fälteffekt Transistor Beskrivning SD2941-10 är en guldmetalliserad N-kanal MOS fälteffekt RF effekttransistor, avsedd för användning i 28 V till 50 V likströmsapplikationer för stora signaler upp till 230 MHz. Den erbjuder 25% lägre RDS (on) än branschstandarden, med 20% högre PSAT än ST: s SD2931-10-enhet. SD2941-10 är inrymt i det lågt termiska M174-paketet utan piedestal och erbjuder 25% lägre värmebeständighet än industristandarden, vilket gör det till den "bästa klass" -transistorn för ISM-applikationer, där tillförlitlighet och robusthet är kritisk faktor . Specifica

Detalj

Tidigare:FMUSER Original MRF151 To-59 högfrekvent rör 150 W, 50 V, 175 MHz N-kanals bredband MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

Nästa:FMUSER MRFE6VP5150N RF-kraft LDMOS-transistorer Höga robusthet N - Kanalförbättring - Mode laterala MOSFETs Transistor

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
79	1	0	79	flygpost
				flygpost

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-kanal MOS fälteffekt Bredband RF-kraftfälteffekt Transistor

Beskrivning
SD2941-10 är en guldmetalliserad N-kanal MOS fälteffekt RF-krafttransistor, avsedd för användning i 28 V till 50 V DC stora signalapplikationer upp till 230 MHz. Det erbjuder 25% lägre RDS (på) än industristandard, med 20% högre PSAT än ST: s SD2931-10-enhet. SD2941-10 är inrymt i den låga termiska M174-icke-piedestalen paket med 25% lägre värmebeständighet än industristandarden, vilket gör det till "bäst i klassen" -transistor för ISM-applikationer, där tillförlitlighet och robusthet är avgörande faktor.

Specifikationer

● Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
● Transistorpolaritet: N-kanal
● Id - Kontinuerlig dräneringsström: 20 A
● Vds - Avtappningskällans nedbrytningsspänning: 130 V
● Vinst: 15.8 dB
● Uteffekt: 175 W
● Lägsta driftstemperatur: - 65 C
● Maximal driftstemperatur: + 150 C
● Monteringsstil: SMD / SMT
● Paket / fodral: M174
● Förpackning: Bulk
● Konfiguration: Single
● Höjd: 7.11 mm
● Längd: 24.89 mm
● Driftsfrekvens: 230 MHz
● Serie: SD2941
● Typ: RF Power MOSFET
● Bredd: 12.83 mm
● Framåtriktad konduktans - Min: 6 S
● Kanalläge: Förbättring
● Pd - Power Dissipation: 389 W
● Produkttyp: RF MOSFET-transistorer
● Fabrikspaketmängd: 25
● Underkategori: MOSFET
● Vgs - Grindspänning: 20 V

Funktioner
● Guldmetallisering
● Utmärkt termisk stabilitet
● Vanlig källkonfiguration
● POUT = 175 W min. med 15 dB förstärkning @ 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W typ. med 14 dB förstärkning @ 123 MHz,
28 V
● Låg RDS (på)
● Termiskt förbättrad förpackning för lägre
● korsningstemperaturer
● I överensstämmelse med 2002/95 / EC1
Direktiven