FMUSER Original Ny SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop leverantör

FMUSER Original ny SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor Beskrivning: SD2931-11 är en guldmetalliserad N-kanal MOS fälteffekt RF-effekttransistor. Eftersom den är elektriskt identisk med SD2931 MOSFET-standarden är den avsedd för användning i 50 V likströmsapplikationer för stora signaler upp till 230 MHz. SD2931-11 är mekaniskt kompatibel med SD2931 men erbjuder dessutom en bättre termisk kapacitet (25% lägre värmebeständighet), vilket representerar klassens bästa transistorer för ISM-applikationer, där tillförlitlighet och robusthet är kritiska faktorer. Funktioner: * Guldmetallisering * Utmärkt termisk stabilitet * Gemensam källa

Detalj

Tidigare:FMUSER Original Ny BLF177 RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor

Nästa:FMUSER Original Ny MRFE6VP5600H RF Power Transistor Power MOSFET Transistor för 600 w FM-sändare

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
108	1	35	143	DHL
				DHL

FMUSER Original Ny SD2931-11 RF Power Transistor High Power Gain 20V MOSFET Transistor

Beskrivning:
SD2931-11 är en guldmetalliserad N-kanal MOS fälteffekt RF-krafttransistor. Varelse elektriskt identiskt med standard SD2931 MOSFET, den är avsedd för användning i 50 V dc large signalapplikationer upp till 230 MHz. SD2931-11 är mekanisk kompatibel med SD2931 men erbjuder dessutom en bättre termisk kapacitet (25% lägre värmebeständighet), representerar de bästa klassens transistorer för ISM applikationer, där tillförlitlighet och robusthet är kritiska faktorer.

Funktioner:
* Guldmetallisering
* Utmärkt termisk stabilitet
* Vanlig källkonfiguration
* POUT = 150 W min. med 14 dB-förstärkning @ 175MHz
* Termiskt förbättrad förpackning för lägre
* korsningstemperaturer
* GFS och VGS sorteras på enheten

Speciafication:

* Serie: SD2931
* Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
* Transistorpolaritet: N-kanal
* Teknik: Si
* Id - Kontinuerlig dräneringsström: 20 A
* Vds - Avtappningskällans nedbrytningsspänning: 125 V
* Gain: 15 dB
* Utgångseffekt: 150 W
* Lägsta driftstemperatur: - 65 C
* Maximal driftstemperatur: + 200 C
* Monteringsstil: Skruvmontering
* Förpackning: Bulk
* Konfiguration: Single Dual Source
* Höjd: 7.11 mm (Max)
* Längd: 24.89 mm (Max)
* Driftsfrekvens: 230 MHz
* Bredd: 12.83 mm (Max)
* Kanalläge: Förbättring
* Pd - Power Dissipation: 389 W
* Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V