FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverantör

FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor Beskrivning: En 600 W LDMOS RF-effekttransistor för sändningsapplikationer och industriella applikationer. Enhetens utmärkta robusthet gör den idealisk för digitala och analoga sändartillämpningar. Funktioner ● Utmärkt robusthet (VSWR ≥ 40: 1 genom alla faser) ● Optimalt termiskt beteende och tillförlitlighet, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Lämplig för CW UHF- och ISM-applikationer ● Hög effektförstärkning ● Hög effektivitet ● Designad för bredbandsdrift (470 MHz till 860 MHz) ● Intern ingångsmatchning för hög förstärkning och optimal bredbandsdrift ● Utmärkt tillförlitlighet ● Enkelt

Detalj

Tidigare:FMUSER MRFE6VP5150N RF-kraft LDMOS-transistorer Höga robusthet N - Kanalförbättring - Mode laterala MOSFETs Transistor

Nästa:FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET Transistor N-Channel

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
296	1	0	296	DHL
				DHL

FMUSER Ursprungliga BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor

Beskrivning:

En 600 W LDMOS RF-strömtransistor för sändningssändare och industriella applikationer. Den här utmärkta robustheten gör den idealisk för digitala och analoga sändare.

Funktioner

● Utmärkt robusthet (VSWR ≥ 40: 1 genom alla faser)
● Optimalt termiskt beteende och tillförlitlighet, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Lämplig för CW UHF- och ISM-applikationer
● Hög effektförstärkning
● Hög effektivitet
● Designad för bredbandsverksamheten (470 MHz till 860 MHz)
● Intern ingångsmatchning för hög förstärkning och optimal bredbandsoperation
● Utmärkt tillförlitlighet
● Enkel effektstyrning
● Uppfyller direktivet om begränsning av farliga ämnen (RoHS) 2002/95 / EG

Applikationer
● Kommunikationssändaransökningar i UHF-bandet

● Industriella tillämpningar i UHF-bandet

parametrar

● Symbol Parameter Villkor Min Typ / namn: Max Enhet
● F-intervall frekvensområde: 470 860 MHz
● PL (1dB) nominell uteffekt: vid 1 dB förstärkningskompression 600 IN
● Testsignal: DVB-T (8k OFDM)
● Gp kraftförstärkning VDS = 50 V; f = 858 MHz 20 dB
D avloppseffektivitet VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A. 31 %
● PL (AV) genomsnittlig uteffekt VDS = 50 V; f = 858 MHz 120 IN
● MDshldr intermodulation distorsion axeldämpning f = 858 MHz [0] -31 dBc
● BY förhållande mellan topp och genomsnitt f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Typ: RF-kraft diskreta transistorer
● Frekvens Min: 0.47 GHz
● Frekvens Max: 0.86 GHz
● Uteffekt: 600 W.

● Få: 20 dB

● % Effektivitetstyp: 58