FMUSER Original Ny MRF6VP2600H RF-strömtransistor MOSFET-transistor 500MHz 600W Lateral N-kanal Bredbands-RF-transistor FMUSER FM / TV-sändare

FMUSER Original ny MRF6VP2600H RF-effekttransistor MOSFET-transistor 500MHz 600W N-kanals bredband i sidled Översikt MRF6VP2600H är främst utformad för bredbandstillämpningar med frekvenser upp till 500 MHz. Enheten är oöverträffad och är lämplig för användning i sändningsapplikationer. Funktioner * Typisk DVB-T OFDM-prestanda: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Genomsnitt, f = 225 MHz, Kanalbandbredd = 7.61 MHz, Ingångssignal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Sannolikhet för CCDF. Effektförstärkning: 25 dB Avloppseffektivitet: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandbredd * Typisk pulsad prestanda: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 watt topp, f = 225 MHz, pulsbredd = 100

Detalj

Tidigare:FMUSER Original nya MRFE6VP61K25H RF Power Transistor High Power MOSFET Transistor LDMOS för 1000w FM-sändare

Nästa:FMUSER Original Ny BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Original Ny MRF6VP2600H RF-strömtransistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband

Översikt

MRF6VP2600H är utformad främst för bredbandsprogram med frekvenser upp till 500 MHz. Enheten är oöverträffad och lämpar sig för sändningsprogram.

Funktioner

* Typisk DVB-T OFDM-prestanda: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Genomsnitt, f = 225 MHz, Kanalbandbredd = 7.61 MHz, Ingångssignal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Sannolikhet för CCDF. : 25 dB Avloppseffektivitet: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandbredd

* Typisk pulsad prestanda: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 watt topp, f = 225 MHz, pulsbredd = 100 µsek, arbetscykel = 20% effektförstärkning: 25.3 dB Avloppseffektivitet: 59%

* Kan hantera 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Power, Pulsbredd = 100 μsec, Duty Cycle = 20%

* Karaktäriserad med serie ekvivalenta parametrar med stor signalimpedans

* CW-driftskapacitet med adekvat kylning

* Kvalificerad upp till maximalt 50 VDD-drift

* Integrerad ESD-skydd

* Designad för push-pull-funktion

* Större negativ port-källspänningsområde för förbättrad klass C-funktion

* RoHS

* I Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Enheter per 56 mm, 13 tum Reel.

Specifikation

Frekvens (min) (MHz): 2

Frekvens (Max) (MHz): 500

Matningsspänning (typ) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Utgångseffekt (typ) (W) @ Intermodulationsnivå vid testsignal: 125.0 @ AVG

Testsignal: OFDM

Effektförstärkning (typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Effektivitet (Typ) (%): 28.5

Värmebeständighet (Spec) (℃ / W): 0.2

Matchande: oöverträffad

Klass: AB

Dödsteknik: LDMOS

Pris (USD)	Antal (PCS)	Shipping (USD)	Totalt (USD)	Frakt metod	Betalning
245	1	35	280	DHL
				DHL

Tidigare:FMUSER Original nya MRFE6VP61K25H RF Power Transistor High Power MOSFET Transistor LDMOS för 1000w FM-sändare

Nästa:FMUSER Original Ny BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Lämna ett meddelande

meddelande~~POS=TRUNC

Kommentarer Loading ...